În aproximativ șase luni, Samsung se pregătește să dezvăluie seria Galaxy S24. Telefoanele de generație următoare din linia Galaxy S sunt așteptate să aducă camere îmbunătățite, ecrane mai luminoase și procesoare mai rapide. Deși s-au aflat deja unele informații despre ecranele Galaxy S24 și Galaxy S24+, acum au fost scurse detalii despre ecranul Galaxy S24 Ultra.
Galaxy S24 Ultra și ecranul său OLED de 2,200 nits
Conform unui sursă numită itnyang (@hyacokr_itnyang), Galaxy S24 Ultra va avea un ecran care poate atinge o luminozitate maximă de până la 2,200 nits. Cu toate acestea, un alt informator de încredere, IceUniverse (@UniverseIce), a răspuns afirmând că nivelul de luminozitate va fi chiar mai mare decât 2,200 nits. Se pare că Samsung testează prototipuri Galaxy S24 Ultra care au ecrane ce pot atinge 2,500 nits și chiar 2,800 nits. Totuși, este posibil ca firma să nu lanseze telefonul cu astfel de niveluri ridicate de luminozitate din mai multe motive, unul dintre acestea fiind consumul de energie.
Se pare că Galaxy S24 Ultra folosește un nou panou OLED denumit intern M13. Acesta are materiale noi care ajută ecranul să atingă niveluri maxime de luminozitate de până la 2,500 nits. Acesta este același panou folosit în linia Apple iPhone 15 Pro și OPPO Find X6 Pro. iPhone 15 Pro Max atinge până la 2,000 nits, în timp ce OPPO Find X6 Pro ajunge până la 2,500 nits în anumite scenarii. Cu toate acestea, Samsung ar putea limita luminozitatea maximă la 2,200 nits.
Caracteristici suplimentare ale Galaxy S24 Ultra
Galaxy S24 Ultra este, de asemenea, zvonit să aibă o cameră principală de 200MP, o cameră ultrawide de 12MP, o cameră telefoto de 50MP cu zoom optic 3x și o cameră telefoto de 10MP cu zoom optic 10x. Pe partea frontală, este probabil să aibă aceeași cameră selfie de 12MP folosită la predecesorul său. Telefonul ar putea avea o baterie de 5,000mAh cu încărcare rapidă de până la 45W. Unele unități Galaxy S24 ar putea folosi cipul Exynos 2400, în timp ce altele ar putea folosi cipul Snapdragon 8 Gen 3. Ambii cipuri sunt probabil fabricați folosind procesul TSMC de 4nm.
